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2SD2642	文件：34.32 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：34.32 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SD2643	文件：33.48 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：33.48 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SD2651	文件：41.63 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier 文件：41.63 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2651	文件：166.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier 文件：166.92 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2651TZ-E	文件：166.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial High Voltage Amplifier 文件：166.92 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2653	文件：96.73 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TL；Package：TSMT3；Low frequency amplifier 文件：96.73 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2653_1	文件：96.73 Kbytes Page：3 Pages	Low frequency amplifier 文件：96.73 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2655	文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：107.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655	文件：70 Kbytes Page：2 Pages	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 文件：70 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2655	文件：75.25 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：75.25 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
2SD26
功能描述：
TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多2SD26供应商更新时间2026-1-26 11:10:00

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