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2SJ185	文件：401.88 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ185	文件：44.94 Kbytes Page：1 Pages	MOS Fied Effect Transistor Features ●DirectlydrivenbyIcshavinga3Vpoersupply. ●Notnecessarytoconsiderdrivingcurrentbecauseofitshighinputimpedance. ●Possibletoreducethenumberofpartsbyomittingthebiasresistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ185	文件：360.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNELMOSFET FORSWITCHING The2SJ185isaP-channelverticaltypeMOSFETwhichcanbe drivenby2.5Vpowersupply. The2SJ185isdrivenbylowvoltageanddoesnotrequire considerationofdrivingcurrent,itissuitableforappliances includingVTRcamerasandheadphonestereoswhic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ185_15	文件：1.28614 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ185-3	文件：1.30199 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel MOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ185-T1B	文件：980.44 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ185-T1B-A	文件：980.39 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ185-T2B	文件：980.36 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2SJ185
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING

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更多2SJ185供应商更新时间2025-5-4 10:00:00

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