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2SD2655	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair with 2S 文件：69.4 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655	文件：70 Kbytes Page：2 Pages	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 文件：70 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2655	文件：75.25 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：75.25 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2655	文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：107.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Bipolar Transistors Support is limited to customers who have already adopted these products.	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD2655	文件：300 bytes Page：1 Pages	TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD2655WM-TL-E	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair with 2S 文件：69.4 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655_11	文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：107.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655_15	文件：152.66 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：152.66 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655WM-TL-E	文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：107.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

详细参数

型号：
2SD2655
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Cut Tape
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SD2655	Renesas(瑞萨)	24+	标准封装	9048	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD2655	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市佳杰伟业科技有限公司	2SD2655	RENESAS/瑞萨	2406+	SOT23	3668	优势代理渠道,原装现货,可全系列订货	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD2655	renesas	24+	SOT-23	24000		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	2SD2655	NEC	25+	SOT-23	6000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市凌旭科技有限公司	2SD2655	RENESAS/瑞萨	21+	SOT-23	1062	只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SD2655	Renesas	1922+	SOT23	8900	公司库存原装低价格欢迎实单议价	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SD2655	RENES	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	2SD2655	RENESAS/瑞萨	22+	SOT23	18000	原装正品	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	2SD2655	RENESAS/瑞萨	2023+	SOT23	6893	十五年行业诚信经营,专注全新正品	询价

更多2SD2655供应商更新时间2026-1-29 23:00:00

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