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厂商型号

2SD2655WM-TL-E

功能描述

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier

文件大小

69.4 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-16 13:35:00

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2SD2655WM-TL-E规格书详情

特性 Features

• Small size package: MPAK (SC–59A)

• Large Maximum current: IC = 1 A

• Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A)

• High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm))

• Complementary pair with 2SB1691

产品属性

  • 型号:

    2SD2655WM-TL-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Cut Tape

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK

  • 制造商:

    Renesas

  • 功能描述:

    Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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