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2SD2653分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SD2653
厂商型号

2SD2653

参数属性

2SD2653 封装/外壳为SC-96;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 12V 2A TSMT 3

功能描述

Low frequency amplifier
TRANS NPN 12V 2A TSMT 3

文件大小

89.45 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 23:00:00

2SD2653规格书详情

Features

1) Collector current is large.

2) VCE(sat)≦ 180mV at IC= 1A / IB= 50mA

3) Complementary PNP Types : 2SB1690

Application

LOW FREQUENCY AMPLIFIER

2SD2653属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。罗姆半导体集团制造生产的2SD2653晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2653TL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    180mV @ 50mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    270 @ 200mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    360MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-96

  • 供应商器件封装:

    TSMT3

  • 描述:

    TRANS NPN 12V 2A TSMT 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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