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2SD2643分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2SD2643
厂商型号

2SD2643

参数属性

2SD2643 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF

功能描述

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)
TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF

文件大小

33.01 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Sanken Electric Co Ltd.
企业简称

Sanken三垦

中文名称

日本三垦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 22:50:00

2SD2643规格书详情

Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1687)

Application : Audio, Series Regulator and General Purpose

2SD2643属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。日本三垦制造生产的2SD2643晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2643

  • 制造商:

    Sanken

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 5mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5000 @ 5A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    60MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF

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