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2SD2655WM-TL-E	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair with 2S 文件：69.4 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655WM-TL-E	文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：107.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655WM-TL-H	文件：107.75 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：107.75 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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2SD2655	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair with 2S 文件：69.4 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2655	文件：75.25 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier 文件：75.25 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SD2655WM-TL-E
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
Cut Tape
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK
制造商：
Renesas
功能描述：
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R

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