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2SD2118	文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages	丝印：D2118；Package：SOT-428；Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：185.03 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118	文件：330.68 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：330.68 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2118	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 Low VCE(sat)晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V,5A,Medium Power NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy
2SD2118	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SD2118-251	文件：298.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：298.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2118-252	文件：279.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES · High current capacity · Low collector-to-emitter saturation voltage · Fast switching speed APPLICATIONS ·Strobes,voltage regulators,relay drivers,lamp drivers 文件：279.28 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2118TLQ	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118TLR	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2118_09	文件：185.03 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：185.03 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
2SD2118(F5)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3072,2SC3074,2SD1803,2SD1805,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
50
htest：
150000000
atest：
5
wtest：
1

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
1
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
20.0
Collector current Io(Ic) [A]：
5.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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