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2SD2027	文件：258.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) • Good Linearity of hFE • Wide Area of Safe Operation • Complement to Type 2SB1346 APPLICATIONS • Designed for low frequency and general purpose amplifier applications. 文件：258.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2028	文件：83.51 Kbytes Page：3 Pages	Low-Frequency Power Amp Applications Low-Frequency Power Amp Applications 文件：83.51 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD2028	文件：38.62 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features ● With Zener diode (11±3V) between collector and base. ● Large current capacity. ● Low collector-to-emitter saturation voltage. 文件：38.62 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2029	文件：206.46 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SB1347 ·Wide area of safe operation ·High transition frequency APPLICATIONS ·Optimum for the output stage of a Hi-Fi audio amplifier applications 文件：206.46 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2029	文件：158.54 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PL package ·Complement to type 2SB1347 ·Wide area of safe operation ·High transition frequency APPLICATIONS ·Optimum for the output stage of a Hi-Fi audio amplifier applications 文件：158.54 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2029	文件：54.83 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For high power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type For high power amplification Complementary to 2SB1347 ■Features ● Satisfactory foward current transfer ratio hFE collector current IC characteristics ● Wide area of safe operation (ASO) ● High transition frequency fT ● Optimum f 文件：54.83 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD2020	文件：252.28 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：252.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2021	文件：249.89 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：249.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2022	文件：256.81 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：256.81 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2023	文件：95.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：95.65 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC

晶体管资料

型号：
2SD2028
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_INT.Z_DIODE(C->B)
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
8V
最大电流允许值：
0.7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1304,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
8
htest：
999900
atest：
0.7
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD202
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Low-Frequency Power Amp Applications

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更多2SD202供应商更新时间2026-3-11 14:00:00

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