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2SD2097	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2097	文件：1.38154 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D2097；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.25V(Typ.)(IC/IB=4A/0.1A) ExcellentDccurrentgaincharacteristics	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD2097	文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages	Low VCE(sat) transistor (strobe flash)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2097	文件：414.28 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD2097	文件：299.12 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD2097	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-92 Bipolar Junction Transistors;	LISION 力神	LISION
2SD2097	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor;	Semiteh Semiteh	Semiteh
2SD2097	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管;	JSCJJiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 长晶科技江苏长晶科技股份有限公司	JSCJ
2SD2097-TA	文件：1.38154 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D2097；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.25V(Typ.)(IC/IB=4A/0.1A) ExcellentDccurrentgaincharacteristics	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD2097TV2Q	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
5
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
6
hFEMin：
120
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
4
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD2097供应商更新时间2025-7-28 14:28:00

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