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2SD2097	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2097	文件：1.38154 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D2097；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.25V (Typ.)(IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent Dc current gain characteristics 文件：1.38154 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2097	文件：299.12 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) 文件：299.12 Kbytes 页数：3 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN
2SD2097	文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages	Low VCE(sat) transistor (strobe flash) 文件：109.28 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2097	文件：414.28 Kbytes Page：3 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：414.28 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2097	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-92 Bipolar Junction Transistors	LISION 力神	LISION
2SD2097	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Semiteh	Semiteh
2SD2097	文件：300 bytes Page：1 Pages	晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
2SD2097-TA	文件：1.38154 Mbytes Page：4 Pages	丝印：D2097；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.25V (Typ.)(IC/IB= 4A / 0.1A) Excellent Dc current gain characteristics 文件：1.38154 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2097TV2Q	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

PCM(W)：
0.625
IC(A)：
5
VCBO(V)：
50
VCEO(V)：
20
VEBO(V)：
6
hFEMin：
120
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
4
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.1
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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