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2SD2097TV2Q	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2097TV2Q	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SIP；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 5A ATV	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2097TV2R	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(Strobe flash) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC / IB = 4A / 0.1A) 2) Excellent DC current gain charac teristics. 3) Complements the 2SB1386 / 2SB1412 / 2SB1326 / 2SB1436. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2114KT146V	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMT3HP	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆
2SD2114KT146W	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23	ROHM/罗姆上传：深圳广友电子有限公司	ROHM/罗姆

产品属性

产品编号：
2SD2097TV2Q
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
3-SIP
供应商器件封装：
ATV
描述：
TRANS NPN 20V 5A ATV

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