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2SD1500	文件：251.03 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) · High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 10A · Low Saturation Voltage APPLICATIONS · Designed for high current switching applications. 文件：251.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SD1616AG-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
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晶体管资料

型号：
2SD1500
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1607,2SD1608,2SD1756,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β=5000
图片代号：
B-44
vtest：
150
htest：
999900
atest：
10
wtest：
40

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1500供应商更新时间2026-4-17 14:00:00

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