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2SD1406	文件：101.47 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Collector power dissipation :PC=25W@TC=25℃ ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SB1015 APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：101.47 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1406	文件：142 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Collector power dissipation : PC=25W@TC=25 ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SB1015 APPLICATIONS ·For audio frequency power amplifier applications 文件：142 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1406GR	文件：257.54 Kbytes Page：2 Pages	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：257.54 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1406O	文件：257.54 Kbytes Page：2 Pages	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：257.54 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1406Y	文件：257.54 Kbytes Page：2 Pages	AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS 文件：257.54 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1407	文件：151.2 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1016 APPLICATIONS • Power amplifier applications 文件：151.2 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1407	文件：69.94 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT ● Complement to 2SB1016 文件：69.94 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD1407	文件：174.88 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1016 APPLICATIONS • Power amplifier applications 文件：174.88 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1407A	文件：137.3 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 100 V • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (max) • Complementary to 2SB1016A 文件：137.3 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1407A	文件：150.31 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 100 V • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (max) • Complementary to 2SB1016A 文件：150.31 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SD1481
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
INT.Z_DIODE(B->C)
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD715,BDW23A,BDW53B,2SD686,2SD837,2SD1217,2SD1325,2SD1394,2SD1521,2D1647,3DK205B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
2
wtest：
15

技术参数

hFE min.：
2000
hFE max.：
20000
Pc (W)：
15
Package Type：
MP-25
Production Status：
EOL
NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
70
VCEO (V)：
70
Vebo (V)：
7
IC (A) @25 °C：
2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市博中泰实业有限公司	2SD1481=D1481	NEC	24+	TO-220	60000	全新原装现货	询价
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更多2SD14供应商更新时间2025-12-21 16:30:00

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