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2SD1407	文件：69.94 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT) POWERAMPLIFIERVERTICALDEFLECTIONOUTPUT ●Complementto2SB1016	WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components	WINGS
2SD1407	文件：151.2 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SB1016 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1407	文件：174.88 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Fapackage •Highbreakdownvoltage •Lowcollectorsaturationvoltage •Complementtotype2SB1016 APPLICATIONS •Poweramplifierapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1407	文件：152.85 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD1407A	文件：150.31 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=100V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=2.0V(max) •Complementaryto2SB1016A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1407A	文件：137.3 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=100V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=2.0V(max) •Complementaryto2SB1016A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1407A-Y	文件：137.3 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=100V •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=2.0V(max) •Complementaryto2SB1016A	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1407A	文件：137.3 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1407A_09	文件：137.3 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SD1407A-Y(F)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 5A TO220NIS	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

晶体管资料

型号：
2SD1407
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
12MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3057,2SC3691,2SD1236.,2SD1411,2SD1488,2DS1499,2SD1586,2SD1897,2DS1940,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
100
htest：
12000000
atest：
5
wtest：
30

详细参数

型号：
2SD1407
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 100V 5A Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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