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2SD1481	文件：109.6 Kbytes Page：4 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption • Low collector saturation voltage: VCE(SAT) = 1.5 V MAX. (at 1 A) • Ideal for use in a direct drive from IC t 文件：109.6 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1481	文件：258.589 Kbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING FEATURES • On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption • Low collector saturation voltage: VCE(SAT) = 1.5 V MAX. (at 1 A) • Ideal for use in a direct drive from IC 文件：258.589 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1481	文件：277.48 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • On-chip C-to-B Zener diode for surge voltage absorption • Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1A • High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @IC= 1A • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and 文件：277.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1481	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

型号：
2SD1481
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
INT.Z_DIODE(B->C)
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD715,BDW23A,BDW53B,2SD686,2SD837,2SD1217,2SD1325,2SD1394,2SD1521,2D1647,3DK205B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-44
vtest：
60
htest：
999900
atest：
2
wtest：
15

更多2SD1481供应商更新时间2026-4-17 14:31:00