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2SD1356	文件：213.31 Kbytes Page：2 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: -High Power Dissipation: Pc 30W (Te-25°C). -Good Linearity of hee -Complementary to 2SB996 -Recommended for 20-25W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage'. 文件：213.31 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1357	文件：273.83 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVE, PULSE. MOTOR DRIVE APPLICATIONS. FEATUREST -High DC Current Gain: hFg-2000 (Min.) (at VCE 3V, IC-3A) -Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.5V (Max.) (at Ic=3A) -Complementary to 25B997, 2SB998, 25B999 文件：273.83 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1358	文件：273.83 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVE, PULSE. MOTOR DRIVE APPLICATIONS. FEATUREST -High DC Current Gain: hFg-2000 (Min.) (at VCE 3V, IC-3A) -Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.5V (Max.) (at Ic=3A) -Complementary to 25B997, 2SB998, 25B999 文件：273.83 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1359	文件：273.83 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVE, PULSE. MOTOR DRIVE APPLICATIONS. FEATUREST -High DC Current Gain: hFg-2000 (Min.) (at VCE 3V, IC-3A) -Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.5V (Max.) (at Ic=3A) -Complementary to 25B997, 2SB998, 25B999 文件：273.83 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1362	文件：130.139 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE FEATURES . High Collector Current : Ic=7A . Low Saturation Voltage : VcE(sat)=0. 5V(Max. ) (at Ic=4A) . High Collector Power Dissipation : Pc=40W (at Tc=25°C) . Complementary to 2SB992 文件：130.139 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1362	文件：207.33 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·Collector Power Dissipation- : PC= 40W@ TC= 25℃ ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 4A ·Complement to Type 2SB992 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operatio 文件：207.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1363	文件：276.52 Kbytes Page：3 Pages	HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS.. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: -High Collector Current Ic=7A -Low Saturation Voltage : VCE (sat)=0.4V (Max.) (at Ic=4A) -High Collector Power Dissipation : PC 40W (at Tc-25°C) -Complementary to 25B993 文件：276.52 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1366	文件：31.36 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：31.36 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1366	文件：154.44 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：154.44 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1366A	文件：145.83 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：145.83 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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晶体管资料

型号：
2SD1376
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD985,2SD986,2SD1438,2SD1741,2SD1953,2SD2019,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-21
vtest：
120
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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