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2SD1356	文件：213.31 Kbytes Page：2 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: -High Power Dissipation: Pc 30W (Te-25°C). -Good Linearity of hee -Complementary to 2SB996 -Recommended for 20-25W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage'. 文件：213.31 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1357	文件：273.83 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVE, PULSE. MOTOR DRIVE APPLICATIONS. FEATUREST -High DC Current Gain: hFg-2000 (Min.) (at VCE 3V, IC-3A) -Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.5V (Max.) (at Ic=3A) -Complementary to 25B997, 2SB998, 25B999 文件：273.83 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1358	文件：273.83 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVE, PULSE. MOTOR DRIVE APPLICATIONS. FEATUREST -High DC Current Gain: hFg-2000 (Min.) (at VCE 3V, IC-3A) -Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.5V (Max.) (at Ic=3A) -Complementary to 25B997, 2SB998, 25B999 文件：273.83 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1359	文件：273.83 Kbytes Page：3 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. HAMMER DRIVE, PULSE. MOTOR DRIVE APPLICATIONS. FEATUREST -High DC Current Gain: hFg-2000 (Min.) (at VCE 3V, IC-3A) -Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.5V (Max.) (at Ic=3A) -Complementary to 25B997, 2SB998, 25B999 文件：273.83 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1362	文件：130.139 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE FEATURES . High Collector Current : Ic=7A . Low Saturation Voltage : VcE(sat)=0. 5V(Max. ) (at Ic=4A) . High Collector Power Dissipation : Pc=40W (at Tc=25°C) . Complementary to 2SB992 文件：130.139 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1362	文件：207.33 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·Collector Power Dissipation- : PC= 40W@ TC= 25℃ ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC= 4A ·Complement to Type 2SB992 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operatio 文件：207.33 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1363	文件：276.52 Kbytes Page：3 Pages	HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS.. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES: -High Collector Current Ic=7A -Low Saturation Voltage : VCE (sat)=0.4V (Max.) (at Ic=4A) -High Collector Power Dissipation : PC 40W (at Tc-25°C) -Complementary to 25B993 文件：276.52 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1366	文件：31.36 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：31.36 Kbytes 页数：6 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD1366	文件：154.44 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：154.44 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1366A	文件：24.9 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier 文件：24.9 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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晶体管资料

型号：
2SD1312
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2N3700,2N3701,2SC2383,2SC3228,2SD667,
最大耗散功率：
1W
放大倍数：
图片代号：
A-70
vtest：
120
htest：
120000000
atest：
1
wtest：
1

技术参数

VCEO (V)：
80
hFE min.：
135
hFE max.：
600
Pc (W)：
1
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市旺财半导体有限公司	2SD1312		23+	斜头管	24800	正品原装货价格低	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	2SD1312	NEC	2023+	TO-92	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD1312-L	NEC	23+	DIP-3	38500	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价

更多2SD13供应商更新时间2025-12-21 10:50:00

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