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2SD1415	文件：68.78 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • Complement to type 2SB1020 • DARLINGTON APPLICATIONS • High power switching applications • Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：68.78 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1415	文件：129.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High DC current gain • Low saturation voltage • Complement to type 2SB1020 • DARLINGTON APPLICATIONS • High power switching applications • Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：129.55 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1415	文件：131.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：131.17 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1415	文件：300 bytes Page：1 Pages	7A; 30W; V(ceo): 100V; NPN darlington transistor	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD1415A	文件：212.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·High power switching applications ·Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：212.28 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1415A	文件：156.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington) High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A) 文件：156.69 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1415A	文件：84.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High DC current gain ·Low saturation voltage ·DARLINGTON APPLICATIONS ·High power switching applications ·Hammer drive,pulse motor drive applications 文件：84.17 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1415A	文件：183.27 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS) High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications • High DC current gain: hFE= 2000 (min) (VCE= 3 V, IC= 3 A) • Low saturation voltage: VCE (sat)= 1.5 V (max) (IC= 3 A) 文件：183.27 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1415AF	文件：156.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington) High-Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A) 文件：156.69 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1415A	文件：162.2 Kbytes Page：5 Pages	High-Power Switching Applications 文件：162.2 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SD1415
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_SL
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4062,2SD970,2SD970K,2SD1196,2SD1277,2SD1590,2SD1791,2SD1830,2SD2025,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=6000
图片代号：
B-45
vtest：
100
htest：
999900
atest：
7
wtest：
30

技术参数

Product Category：
Power transistor for low frequency applications
Package name(Toshiba)：
TO-220NIS
Recommended Product 1：
TTD1415B(Package and characteristics are almost same)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1415供应商更新时间2026-4-18 16:01:00

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