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2SD1416	文件：244.88 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 3A • High DC Current Gain : hFE= 2000(Min) @ IC= 3A, VCE= 3V • Complement to Type 2SB1021 APPLICATIONS • Hammer driver,pulse motor drive applications. 文件：244.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1445A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	松下上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	松下
2SD1581-AZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SD1616AG-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	UTC/友顺上传：深圳广友电子有限公司	UTC/友顺
2SD1616AG-G-AB3-R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-89(SOT-89-3)	UTC(友顺) 上传：深圳广友电子有限公司	UTC(友顺)

型号：
2SD1416
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4062,2SD1191,2SD1277A,2SD1590,2SD1604,2SD1791,2SD1830,2SD1928,2SD2025,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
β=6000
图片代号：
B-45
vtest：
80
htest：
999900
atest：
7
wtest：
30

更多2SD1416供应商更新时间2026-1-17 10:20:00