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2SD144	文件：250.49 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：250.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1440	文件：102.4 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT Silicon NPN Triple-Diffused Junction Mesa Type Horizontal Deflection Output 文件：102.4 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1440	文件：242.28 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Breakdown Voltage- : VCBO= 1500V (Min) • High Switching Speed • Built-in Damper Diode APPLICATIONS • Designed for horizontal deflection output applications. 文件：242.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1441	文件：80.93 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high reliability ·High speed switching ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For horizontal deflection output applications 文件：80.93 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD1441	文件：102.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED JUNCTION MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT SILICON NPN TRIPLE-DIFFUSED JUNCTION MESA TYPE HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT POWER TRANSISTOR 文件：102.74 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1441	文件：131.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high reliability ·High speed switching ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For horizontal deflection output applications 文件：131.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1441	文件：136.25 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Built-in damper diode ·High voltage ,high reliability ·High speed switching ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For horizontal deflection output applications 文件：136.25 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1444	文件：112.68 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·High speed switching ·High collector current ·Complement to type 2SB953/953A APPLICATIONS ·Power amplifiers ·Low voltage switching 文件：112.68 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1444	文件：139.09 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·High speed switching ·High collector current ·Complement to type 2SB953/953A APPLICATIONS ·Power amplifiers ·Low voltage switching 文件：139.09 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1444	文件：56.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For low-voltage switching) Silicon PNP epitaxial planar type For low-voltage switching ■ Features • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) • High-speed switching • Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 文件：56.26 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
2SD144
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BD239C,BD241C,BD581,BD937,2N3054,2SD712,3DD155B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
100
htest：
999900
atest：
1
wtest：
15

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
40V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.6@0.33A@10AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
20V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Maximum Transition Frequency：
120(Typ)MHz
Type：
NPN

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