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2SD1223(TE16L1,NQ)

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1223

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter

文件:295.25 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1223

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD1223

Switching Applications

文件:163.63 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1223(TE16L1,NQ)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 6mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 3A,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    PW-MOLD

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
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原装正品现货库存价优
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更多2SD1223(TE16L1供应商 更新时间2025-11-5 14:30:00