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2SD1758TLR	文件：111.87 Kbytes Page：3 Pages	Medium power transistor (32V, 2A)	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
2SD1758TLR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 32V 2A CPT3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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2SD1758	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：55.6 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SD1758	文件：40.6 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat),VCE(sat)=0.5V (IC=2A,IB=0.2A). Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1758	文件：157.31 Kbytes Page：3 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=0.5V(Typ.)(IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SB1188/2SB1182/2SB1240/2SB891F/2SB822/2SB1277/2SB911M Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：404.23 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1758	文件：123.08 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP)	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1758	文件：176.4 Kbytes Page：4 Pages	Mediumpowertransistor(32V,2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1758	文件：337.56 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1758-Q	文件：1.07516 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1758-R	文件：1.07516 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
2SD1758TLR
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS NPN 32V 2A CPT3

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