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2SD1834T100

Medium Power Transistor (60V, 1A)

Features 1)DarlingtonconnectionforhighDCcurrentgain(typically,DCcurrentgain=15000atVCE=3V,IC=0.5A) 2)Highinputimpedance.

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

2SD1834T100

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-243AA 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3

ROHMRohm Semiconductor

罗姆罗姆半导体集团

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1834T100

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500µA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 60V 1A MPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD1834T100供应商 更新时间2024-4-29 16:56:00