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2SD1733TLR

Power Transistor (80V, 1A)

● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181.

文件:112.31 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1733TLR

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 1A CPT3

ROHM

罗姆

2SD1733

Power Transistor (80V, 1A)

文件:177.89 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1733

Power Transistor (80V, 1A)

文件:120.9 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

2SD1733

Power Transistor

Features ● High VCEO, VCEO=80V . ● High IC, IC=1A (DC) . ● Good hFE linearity . ● Low VCE (sat) . ● Epitaxial planer type ● NPN silicon transistor

文件:40.43 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1733TLR

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 20mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    180 @ 500mA,3V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    CPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A CPT3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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