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2SD1683T	文件：320.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)4A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TO-126ML Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low saturation voltage • Large current capacity and wide ASO Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment 文件：320.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1683T	文件：320.82 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Features • Adoption of FBET, MBIT processes • Low saturation voltage • Large current capacity and wide ASO Applications • Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment 文件：320.82 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1683T	文件：422.97 Kbytes Page：7 Pages	丝印：D1683；Package：TO-126ML；50V/4A Switching Applications 文件：422.97 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD1683T	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 50V 4A TO-126ML	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SD1683T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 4A TO126ML	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
2SD1683T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126ML
描述：
TRANS NPN 50V 4A TO126ML

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金嘉锐电子有限公司	2SD1683T	ON	2025+	TO-126-3	32560	原装优势绝对有货	询价
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更多2SD1683T供应商更新时间2025-10-4 16:06:00

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