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2SC6026	文件：132.56 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent :VCEO=50V,IC=100mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120~400 •Complementaryto2SA2154 •Lead(Pb)free	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026CT	文件：151.69 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeAmplifierApplications GeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=100mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154CT	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV	文件：254.82 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV-GR	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV-Y	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

详细参数

型号：
2SC6026-GR
功能描述：
两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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