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2SC607	文件：69.85 Kbytes Page：1 Pages	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR Audio Frequency Amplifier 文件：69.85 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC6071	文件：296.17 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6071	文件：277.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6071	文件：42.21 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications High-Current Switching Applications Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. 文件：42.21 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6071-251	文件：296.17 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：296.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6071-252	文件：277.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 200(Min)@ IC= 1A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：277.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6072	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6075	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6075	文件：168.64 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type Power Amplifier Applications Power Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)（ IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ) 文件：168.64 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC6076	文件：172.08 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Power Amplifier Applications Power Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 μs (typ.) 文件：172.08 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
80
IC(Max)(A)：
3
hFE(Min)：
180
hFE(Max)：
450
VCE(sat)(Max)(V)：
0.3
fT(Typ.)(MHz)：
150
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
New PW-Mold
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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