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2SC5752	文件：91.41 Kbytes Page：20 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for medium output power amplification • PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm • HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted • High reliability through use of gol 文件：91.41 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5752	文件：3.84257 Mbytes Page：17 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for medium output power amplification • PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm • HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted • High reliability through use of gol 文件：3.84257 Mbytes 页数：17 Pages	CEL	CEL
2SC5752	文件：224.86 Kbytes Page：22 Pages	丝印：R55；NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for medium output power amplification • PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm • HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted • High reliability through use of 文件：224.86 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5752	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC5752-T1	文件：224.86 Kbytes Page：22 Pages	丝印：R55；NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for medium output power amplification • PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm • HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted • High reliability through use of 文件：224.86 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5752-T1	文件：91.41 Kbytes Page：20 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD FEATURES • Ideal for medium output power amplification • PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm • HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted • High reliability through use of gol 文件：91.41 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5752_15	文件：225.54 Kbytes Page：22 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW) 4-PIN SUPER MINIMOLD 文件：225.54 Kbytes 页数：22 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5752-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343	CEL	CEL
2SC5752-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-82A，SOT-343；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343	CEL	CEL

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