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2SC5752-T1分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5752-T1 |
| 参数属性 | 2SC5752-T1 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
224.86 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 10:06:00 |
| 人工找货 | 2SC5752-T1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5752-T1规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW)
4-PIN SUPER MINIMOLD
FEATURES
• Ideal for medium output power amplification
• PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm
• HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted
• High reliability through use of gold electrodes
• 4-pin super minimold package
产品属性
- 产品编号：
2SC5752-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.7dB @ 2GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 30mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
SOT-343
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NEC |
1925+ |
SOT-343 |
12500 |
原装现货价格优势可供更多可出样 |
询价 | ||
NEC |
25+23+ |
SOT343 |
37922 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
NEC |
SOT343 |
23+ |
6000 |
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询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT343 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
SOT343 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
30000 |
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NEC |
21+ |
SOT343 |
6000 |
全新原装 现货 价优 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
25000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
5000 |
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询价 |
