2SC5750分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SC5750 |
参数属性 | 2SC5750 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343 |
功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION |
封装外壳 | SC-82A,SOT-343 |
文件大小 |
216.3 Kbytes |
页面数量 |
18 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 20:00:00 |
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2SC5750规格书详情
FEATURES
• Ideal for medium output power amplification
• PO (1 dB) = 15.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 1 dBm
• HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted
• High reliability through use of gold electrodes
• 4-pin super minimold package
产品属性
- 产品编号:
2SC5750-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
15GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.7dB @ 2GHz
- 增益:
15dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
75 @ 20mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
SOT-343
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
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