2SC5752分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SC5752 |
| 参数属性 | 2SC5752 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 文件大小 |
224.86 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 17:10:00 |
| 人工找货 | 2SC5752价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5752规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW)
4-PIN SUPER MINIMOLD
FEATURES
• Ideal for medium output power amplification
• PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm
• HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted
• High reliability through use of gold electrodes
• 4-pin super minimold package
产品属性
- 产品编号：
2SC5752-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
6V
- 频率 - 跃迁：
12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.7dB @ 2GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 30mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
- 供应商器件封装：
SOT-343
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
SOT343 |
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