2SC5752分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SC5752 |
参数属性 | 2SC5752 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343 |
功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR |
丝印标识 | |
封装外壳 | SC-82A,SOT-343 |
文件大小 |
224.86 Kbytes |
页面数量 |
22 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-31 20:00:00 |
人工找货 | 2SC5752价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SC5752规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (60 mW)
4-PIN SUPER MINIMOLD
FEATURES
• Ideal for medium output power amplification
• PO (1 dB) = 18.0 dBm TYP. @ VCE = 2.8 V, f = 1.8 GHz, Pin = 7 dBm
• HFT3 technology (fT = 12 GHz) adopted
• High reliability through use of gold electrodes
• 4-pin super minimold package
产品属性
- 产品编号:
2SC5752-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
12GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.7dB @ 2GHz
- 增益:
13dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
75 @ 30mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
SOT-343
- 描述:
RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT343 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
NEC |
2016+ |
SOT343 |
9000 |
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询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
瑞萨 |
24+ |
QFPSOPDIP |
30675 |
专业代理瑞萨品牌原装正品 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
30000 |
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询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT343 |
12245 |
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询价 | ||
NEC |
25+23+ |
SOT343 |
37922 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
SOT-343 |
360000 |
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询价 |