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2SC5752-A

包装:托盘 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

CEL

California Eastern Laboratories

2SC5752

NPNSILICONRFTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW) 4-PINSUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=18.0dBmTYP.@VCE=2.8V,f=1.8GHz,Pin=7dBm •HFT3technology(fT=12GHz)adopted •Highreliabilitythroughuseof

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2SC5752

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW)4-PINSUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=18.0dBmTYP.@VCE=2.8V,f=1.8GHz,Pin=7dBm •HFT3technology(fT=12GHz)adopted •Highreliabilitythroughuseofgol

CEL

California Eastern Laboratories

2SC5752

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW)4-PINSUPERMINIMOLD

NPNSILICONRFTRANSISTORFORMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(60mW)4-PINSUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=18.0dBmTYP.@VCE=2.8V,f=1.8GHz,Pin=7dBm •HFT3technology(fT=12GHz)adopted •Highreliabilitythroughuseofgol

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5752-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.7dB @ 2GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 30mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CEL
2022+
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更多2SC5752-A供应商 更新时间2024-9-25 15:00:00