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2SC5359	文件：127.45 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：127.45 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC5359_04	文件：127.69 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：127.69 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5359-O	文件：128.83 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：128.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5359-R	文件：128.83 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications 文件：128.83 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC535A	文件：192.33 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR 文件：192.33 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC536	文件：84.74 Kbytes Page：1 Pages	Low Level and General Purpose Amplifiers 文件：84.74 Kbytes 页数：1 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
2SC5361	文件：147.96 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：147.96 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5361_04	文件：147.96 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Switching Applications 文件：147.96 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5368	文件：133.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type 文件：133.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5368_06	文件：133.52 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type 文件：133.52 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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晶体管资料

型号：
2SC5336
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）_CATV
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
6.5GHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
20
htest：
6500000000
atest：
0.1
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC53
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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