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2SC5359-O	文件：128.83 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5359-O(Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-3PL 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 230V 15A TO3P	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5359	文件：150.49 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) PowerAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=230V •Complementaryto2SA1987 •Suitableforusein100-Whighfidelityaudioamplifier’soutputstage.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5359	文件：142.4 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-3PLpackage ·Complementtotype2SA1987 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Recommendfor100Whighfidelityaudiofrequencyamplifieroutputstage	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SC5359	文件：127.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2SC5359	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
2SC5359-R	文件：128.83 Kbytes Page：4 Pages	PowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC5359-O
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
TRANS GP BJT NPN 230V 15A 3PIN TO-3P(L) - Bulk

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深圳市富芯乐电子科技有限公司	2SC5359-O	TOS	22+	10ROHS	10000		询价
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更多2SC5359-O供应商更新时间2024-5-27 16:18:00

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