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2SC5288	文件：117.43 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The2SC5288isidealforthedriverstageamplifierin1.9GHz-banddigitalcordlessphones(DECT,PHS,etc.). FEATURES •P–1=24dBmTYP. @f=1.9GHz,VCC=3.6V,ICq=1mA(ClassAB),Duty=1/8 •4-PinMiniMoldPackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SC5288	文件：344.15 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The2SC5288isidealforthedriverstageamplifierin1.9GHz-banddigital cordlessphones(DECT,PHS,etc.). FEATURES •P–1=24dBmTYP. @f=1.9GHz,VCC=3.6V,ICq=1mA(ClassAB),Duty=1/8 •4-PinMiniMoldPackage EIAJ:SC-61	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SC5288-T1	文件：117.43 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The2SC5288isidealforthedriverstageamplifierin1.9GHz-banddigitalcordlessphones(DECT,PHS,etc.). FEATURES •P–1=24dBmTYP. @f=1.9GHz,VCC=3.6V,ICq=1mA(ClassAB),Duty=1/8 •4-PinMiniMoldPackage EIAJ:SC-61	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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详细参数

型号：
2SC5288
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5288供应商更新时间2025-7-23 9:36:00

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