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2SC5288	文件：117.43 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 24 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：117.43 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5288	文件：344.15 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 24 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：344.15 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5288	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.).FEATURES\n• P–1 = 24 dBm TYP.\n @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8\n• 4-Pin Mini Mold Package\n EIAJ: SC-61 • P–1 = 24 dBm TYP.\n @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8\n• 4-Pin Mini Mold Package\n EIAJ: SC-61 ;	Renesas 瑞萨	Renesas
2SC5288-T1	文件：344.15 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 24 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：344.15 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5288-T1	文件：117.43 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 24 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：117.43 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
2SC5288
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_超高频/特高频（UHF）_SHF
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
9V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
9
htest：
999900
atest：
0.15
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC5288
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5288供应商更新时间2026-1-18 9:36:00

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