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2SC5288-T1	文件：344.15 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 24 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：344.15 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5288-T1	文件：117.43 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5288 is ideal for the driver stage amplifier in 1.9GHz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 24 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：117.43 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5289	文件：114.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 27 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：114.61 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5289	文件：342.38 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 27 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：342.38 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5289-T1	文件：342.38 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER The 2SC5289 is ideal for the final stage amplifier in 1.9G Hz-band digital cordless phones (DECT, PHS, etc.). FEATURES • P–1 = 27 dBm TYP. @f = 1.9 GHz, VCC = 3.6 V, ICq = 1 mA (Class AB), Duty = 1/8 • 4-Pin Mini Mold Package EIAJ: SC-61 文件：342.38 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5280	文件：130.77 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：130.77 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC5280	文件：323.21 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：323.21 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5280_15	文件：235.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：235.86 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC5280_2015	文件：235.86 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：235.86 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC5287	文件：32.47 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 文件：32.47 Kbytes 页数：1 Pages	Sanken 三垦	Sanken

详细参数

型号：
2SC528
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR L-BAND LOW-POWER AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC5288-T1	NEC	24+	SOT-143SOT-23-4	6200	新进库存/原装	询价
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更多2SC528供应商更新时间2025-12-23 16:30:00

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