RF Transistor 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single SMCP

RF Transistor 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single SMCP Features • Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz) : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=10dB typ (f=1.5GHz) • High cut-off frequency : fT=8GHz typ • Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA)

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ONSEMI

安森美半导体

UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz) : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=10dB typ (f=1.5GHz) • High cut-off frequency : fT=8GHz typ • Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) : fT=

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SANYO

三洋

Silicon NPN RF Transistor

DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 10V(Min) · High Cut-off Frequency · Low-Voltage, Low-current Operation APPLICATIONS · Ultrasmall-sized Package Permitting Applied Sets To Be Made Small And Slim

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ISC

无锡固电

UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications

文件：524.35 Kbytes 页数：8 Pages

SANYO

三洋

RF Transistor 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single SMCP

RF Transistor 10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single SMCP Features • Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz) : NF=1.4dB typ (f=1.5GHz) • High gain : ⏐S21e⏐2=10dB typ (f=1.5GHz) • High cut-off frequency : fT=8GHz typ • Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA)

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ONSEMI

安森美半导体

UHF to S-Band Low-Noise Amplifier OSC Applications

文件：524.35 Kbytes 页数：8 Pages

SANYO

三洋

射频晶体管，10V，30mA，fT = 8GHz，NPN 单 SMCP

2SC5277A 是射频晶体管，10V，30mA，fT = 8GHz，NPN 单 SMCP。 • Low-noiseNF=0.9dB typ (f=1GHz)NF=1.4dB typ (f=1.5GHz)\n• High gainForward Transfer Gain=10dB typ (f=1.5GHz)\n• High cut-off frequency : fT=8GHz typ\n• Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA)fT=3.5GHz typForward Transfer Gain=5.5dB typ (f=1.5GHz)\n• Ultrasmall-sized package permitting a;

ONSEMI

安森美半导体

Package：SC-75，SOT-416；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 10V 8GHZ SMCP

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安森美半导体