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2SC5233_07	文件：433.17 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 文件：433.17 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5239	文件：128.539 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：128.539 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5231	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5231A	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single SMCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5231C8-TL-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 0.07A 10V	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5231A-9-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，鸥翼；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5231C8-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-75，SOT-416；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 10V 0.07A SMCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5232BTE85LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 0.5A SC59	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

产品属性

产品编号：
2SC5231A-9-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1dB @ 1GHz
增益：
12dB ~ 8.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
100mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
135 @ 20mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
70mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，鸥翼
供应商器件封装：
SMCP
描述：
RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

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