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2SC5231中文资料NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SC5231

参数属性

2SC5231 封装/外壳为3-SMD,鸥翼;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications
RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

封装外壳

3-SMD,鸥翼

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 10:19:00

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2SC5231规格书详情

简介

2SC5231属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的2SC5231晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2SC5231A-9-TL-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB ~ 8.5dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值:

    100mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    135 @ 20mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    70mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,鸥翼

  • 供应商器件封装:

    SMCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ SMCP

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