2SC5226A中文资料射频晶体管，NPN 单 MCP，10 V，70 mA，fT = 7 GHz数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

2SC5226A is RF Transistor, 10 V, 70 mA, fT = 7 GHz, NPN Single MCP for VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications.

特性 Features

• Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz)
• High gain (Forward Transfer Gain: 12dB typ at f=1.0GHz)
• High cut-off frequency : fT=7GHz typ

简介

2SC5226A属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由ONSEMI制造生产的2SC5226A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。