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2SC5125	文件：97.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) DESCRIPTION 2SC5152 is a silicon NPN epitaxail planar type transistor specifically designed for high power amplifiers in VHF band. FEATURES ● High power output and high gain: Po ≥ 80W, Gpe ≥ 7.2dB, @VCC = 12.5V, f = 175MHz, Pin = 15W ● Emitter ballasted construction. ● Load mismatch : Abi 文件：97.37 Kbytes 页数：2 Pages	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC5125	文件：300 bytes Page：1 Pages	MITSUBISHI RF POWER TRANSISTOR	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
2SC5193-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT323	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5195-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT343	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SC5198	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3PN	MOT/仁懋上传：深圳广友电子有限公司	MOT/仁懋

晶体管资料

型号：
2SC5125
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
甚高频（VHF）_输出极（E）
封装形式：
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
25A
最大工作频率：
175MHZ
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
35
htest：
175000000
atest：
25
wtest：
80

详细参数

型号：
2SC5125
制造商：
MITSUBISHI
制造商全称：
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述：
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	2SC5125	MITSUBIS	2019+	SMD	6992	原厂渠道可含税出货	询价
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更多2SC5125供应商更新时间2026-1-19 16:05:00

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