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2SC5161	文件：120.68 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Transistor(400V, 2A) Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：120.68 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC5161	文件：83.73 Kbytes Page：4 Pages	HIgh voltage switching transistor (400V, 2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)=0.15V (Typ.) (IC/IB=1A/0.2A) 2) High breakdown voltage. VCEO=400V 3) Fast switching. tf ≤1.0µs (IC=0.8A) 文件：83.73 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC5161	文件：41.95 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage Switching Transistor Features ● Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.),IC / IB = 1A / 0.2A ● High breakdown voltage.VCEO = 400V ● Fast switching.tr = 1.0ìs,IC = 0.8A ● NPN silicon transistor 文件：41.95 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC5161TLB	文件：75.89 Kbytes Page：3 Pages	High voltage switching transistor (400V, 2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat)=0.15V (Typ.) (IC/IB=1A/0.2A) 2) High breakdown voltage. VCEO=400V 3) Fast switching. tf ≤1.0µs (IC=0.8A) 文件：75.89 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SC5168	文件：120.39 Kbytes Page：5 Pages	SILICON NPN DUAL TRANSISTOR DESCRIPTION 2SC5168 is a silicon NPN epitaxial type transisor. It is designed for low noise defferential amplify application. APPLICATION For low noise differential amplify application. 文件：120.39 Kbytes 页数：5 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SC5169	文件：113.35 Kbytes Page：5 Pages	DUAL TRANSISTOR [Isahaya] DUAL TRANSISTOR FOR LOW NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE 文件：113.35 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SC5169	文件：249.7 Kbytes Page：5 Pages	SMALL-SIGNAL TRANSISTOR DUAL TRANSISTOR FOR LOW NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE 文件：249.7 Kbytes 页数：5 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SC5161	文件：300 bytes Page：1 Pages	High voltage Transistor •耐高圧表面安装型三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SC5169	文件：300 bytes Page：1 Pages	SMALL-SIGNAL TRANSISTOR DUAL TRANSISTOR FOR LOW NOISE DIFFERENTIAL AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE	IDC	IDC
2SC5168	文件：300 bytes Page：1 Pages	SILICON NPN DUAL TRANSISTOR	IDC	IDC

晶体管资料

型号：
2SC5161
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC5162,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
β=16-50
图片代号：
H-92
vtest：
400
htest：
999900
atest：
2
wtest：
10

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
1
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
400.0
Collector current Io(Ic) [A]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC5161	ROHM/罗姆	25+	TO-252	32000	ROHM/罗姆全新特价2SC5161即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多2SC516供应商更新时间2026-3-10 15:29:00

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