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2SC4702	文件：31.36 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High breakdown voltage VCEO = 300 V • Small Cob Cob = 1.5 pF Typ. Application High voltage amplifier 文件：31.36 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SC4702	文件：72.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High breakdown voltage VCEO = 300 V • Small Cob Cob = 1.5 pF Typ. Application High voltage amplifier 文件：72.59 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4702	文件：35.68 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● High breakdown voltage VCEO = 300 V ● Small Cob Cob = 1.5 pF Typ. 文件：35.68 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4702XV-TR-E	文件：72.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features • High breakdown voltage VCEO = 300 V • Small Cob Cob = 1.5 pF Typ. Application High voltage amplifier 文件：72.59 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4703	文件：181.66 Kbytes Page：9 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR DESCRIPTION The 2SC4703 is designed for low distortion, low noise RF amplifier operating with low supply voltage (VCE= 5 V). This low distortion characteristic makes it suitable for CATV, tele-communication and other use. It employs surface mount type plastic package, power minimold (SOT-89). 文件：181.66 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4703	文件：163.77 Kbytes Page：7 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 3-PIN POWER MINIMOLD DESCRIPTION The NE46234 / 2SC4703 is designed for low distortion, low noise RF amplifier operating with low supply voltage (VCE = 5 V). This low distortion characteristic makes it suitable for CATV, tele-communication and other use. It employs surface mount type plastic package, power mini mold ( 文件：163.77 Kbytes 页数：7 Pages	CEL	CEL
2SC4703	文件：66.34 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVE LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC4703 is designed for low distortion, low noise RF amplifier operating with low supply voltage (VCE= 5 V). This low distortion characteristic makes it suitable for CATV, tele-communication and other use. It employs surface mount type plastic package, Power Mini Mold (SOT-89). 文件：66.34 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC4703	文件：269.54 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION • Low Distortion at Low Supply Voltage. IM2- 55 dB TYP., IM3- 76 dB TYP. @VCE = 5 V, IC = 50 mA, VO = 105dBμ /75Ω • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Designed for low distortion , 文件：269.54 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4703-T1	文件：181.66 Kbytes Page：9 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR DESCRIPTION The 2SC4703 is designed for low distortion, low noise RF amplifier operating with low supply voltage (VCE= 5 V). This low distortion characteristic makes it suitable for CATV, tele-communication and other use. It employs surface mount type plastic package, power minimold (SOT-89). 文件：181.66 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4703-T1	文件：163.77 Kbytes Page：7 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER 3-PIN POWER MINIMOLD DESCRIPTION The NE46234 / 2SC4703 is designed for low distortion, low noise RF amplifier operating with low supply voltage (VCE = 5 V). This low distortion characteristic makes it suitable for CATV, tele-communication and other use. It employs surface mount type plastic package, power mini mold ( 文件：163.77 Kbytes 页数：7 Pages	CEL	CEL

晶体管资料

型号：
2SC4702
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_视频输
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFN26,2SC4016,2SC4497,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
300
htest：
80000000
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
300
IC @25 °C (A)：
0.05
VCE (sat) (V)：
0.5
hFE：
60-150
Pc (W)：
0.15
fT (Typical) (GHz)：
0.08
Cob (Typical) (pF)：
1.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC4702	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
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更多2SC470供应商更新时间2026-3-10 14:00:00

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