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2SC4705	文件：85.8 Kbytes Page：3 Pages	Low-Frequency General-Purpose Amp, Applications(High hFE) Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Applications (High hFE) Features • High DC current gain (hFE=800 to 3200). • Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat)≤0.5V max. • High VEBO : VEBO≥15V. • Small size making it easy to provide high-density, hybrid ICs. Applicati 文件：85.8 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4705	文件：51.97 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • High DC current gain (hFE=800 to 3200). • Low collector-to-emitter saturation voltage : VCE(sat) ≤ 0.5V max. • High VEBO : VEBO ≥ 15V. • Small size making it easy to provide high-density, hybrid ICs. 文件：51.97 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC4706	文件：173.07 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage switching transistor APPLICATIONS ·For switching regulator and general purpose applications 文件：173.07 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC4706	文件：23.87 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage Switchihg Transistor) Application : Switching Regulator and General Purpose 文件：23.87 Kbytes 页数：1 Pages	SANKEN 三垦	SANKEN
2SC4706	文件：166.69 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage switching transistor APPLICATIONS ·For switching regulator and general purpose applications 文件：166.69 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC4706	文件：195.79 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage switching transistor APPLICATIONS ·For switching regulator and general purpose applications 文件：195.79 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC4707	文件：146.67 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL TYPE (LOW FREQUENCY, DRIVER STAGE AMPLIFIER SWITCHING APPLICATIONS) LOW FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS. DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS. SWITCHING APPLICATIONS. Excellent hFE Linearity : hFE(2) = 35(Min.), (VCE = 2V, IC = 300mA) Complementary to 2SA1811 文件：146.67 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC4709	文件：99.5 Kbytes Page：3 Pages	High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications High-Voltage Amplifier, High-Voltage Switching Applications Features • High breakdown voltage (VCEO min=2100V). • Small Cob (Cob typ=1.3pF). • Wide ASO. • High reliability (Adoption of HVP process). 文件：99.5 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC4702	文件：106.03 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial 文件：106.03 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC4702_11	文件：106.03 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN Epitaxial 文件：106.03 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

晶体管资料

型号：
2SC4702
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_视频输
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFN26,2SC4016,2SC4497,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
300
htest：
80000000
atest：
0.05
wtest：
0

技术参数

VCEO (V)：
300
IC @25 °C (A)：
0.05
VCE (sat) (V)：
0.5
hFE：
60-150
Pc (W)：
0.15
fT (Typical) (GHz)：
0.08
Cob (Typical) (pF)：
1.5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SC4702	RENESAS/瑞萨	20+	SOT-23	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SC4702	renesas	24+	SOT-23	36000		询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SC4702	NEC	2023+	SOT-23	50000	原装现货	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	2SC4702	RENESAS/瑞萨	2511	SOT-23	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SC4702	RENESAS/瑞萨	22+	SOT-23	20000	只做原装	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SC4702XVTR	RENESAS	24+	SOT23	5000	全现原装公司现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SC4702XV-TR-E	RENESAS	20+	SOT23	49000	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	2SC4702XV-TR-E	RENESAS	25+	SOT23	2283	现货	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	2SC4702XV	HITACHI	1922+	SOT-23	35689	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
深圳市正纳电子有限公司	2SC4702XV-TR-E	Renesas(瑞萨)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价

更多2SC470供应商更新时间2026-3-10 14:00:00

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