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2SC4703-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

2SC4703-T1
厂商型号

2SC4703-T1

参数属性

2SC4703-T1 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR

封装外壳

TO-243AA

文件大小

181.66 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:00:00

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2SC4703-T1规格书详情

DESCRIPTION

The 2SC4703 is designed for low distortion, low noise RF amplifier operating with low supply voltage (VCE= 5 V). This low distortion characteristic makes it suitable for CATV, tele-communication and other use. It employs surface mount type plastic package, power minimold (SOT-89).

FEATURES

• Low distortion, low voltage: IM2= 55 dBc TYP., IM3= 76 dBc TYP. @ VCE= 5 V, IC= 50 mA, VO= 105 dBµV/75Ω

• Large Ptot: Ptot= 1.8 W (Mounted on double-sided copper-clad 16 cm2 ×0.7 mm (t) ceramic substrate)

• Small package : 3-pin power minimold package

产品属性

  • 产品编号:

    2SC4703-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    6GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2.3dB @ 1GHz

  • 增益:

    8.3dB

  • 功率 - 最大值:

    1.8W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
22+
SOT89
100000
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