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2SC3441	文件：59.28 Kbytes Page：3 Pages	SILICON NPN EPTAXIAL TRANSISTOR FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION 文件：59.28 Kbytes 页数：3 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SC3443	文件：141.88 Kbytes Page：4 Pages	FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE FOR HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE 文件：141.88 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SC3443	文件：52.43 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor Features • High hFE=150 to 800. • High collector current (Ic=2A). • High collector dissipation Pc=500mW. • Low VCE(sat): VCE(sat)=0.17V typ(@Ic=1A,IB=50mA). • Small package for mounting. 文件：52.43 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3444	文件：52.47 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor Features ● High voltage VCEO=60V. ● High collector current (Ic=1A). ● High collector dissipation Pc=500mW. ● Low VCE(sat): VCE(sat)=0.11V typ(@Ic=500mA,IB=25mA). ● Small package for mounting. 文件：52.47 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3444	文件：145.79 Kbytes Page：4 Pages	FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION 2SC3444 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed for relay drive, power supply application. Complementary with 2SA1364. APPLICATION Audio mahcine, VCR, relay drive, power supply. 文件：145.79 Kbytes 页数：4 Pages	ISAHAYA 谏早电子	ISAHAYA
2SC3446	文件：259.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 500V(Min) ·High Switching Speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for switching regulator and general purpose applications. 文件：259.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3446	文件：92.01 Kbytes Page：3 Pages	For Switching Regulators FOR SWITCHING REGULATORS Features • High breakdown voltage and high reliability • Fast switching speed (tf: 0.1 μs typ.) • Wide ASO • Adoption of MBIT process 文件：92.01 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3447	文件：92.74 Kbytes Page：3 Pages	For Switching Regulators 500V/5A Switching Regulator Applications Features · High breakdown voltage and high reliability. · Fast switching speed (tf : 0.1µs typ). · Wide ASO. · Adoption of MBIT process. 文件：92.74 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3447	文件：188.76 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage and high reliability ·Fast switching speed. ·Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS ·500V/5A switching regulator applications 文件：188.76 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3447	文件：218.65 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage and high reliability ·Fast switching speed. ·Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS ·500V/5A switching regulator applications 文件：218.65 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

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晶体管资料

型号：
2SC3478(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_视频输出（Vid）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BF298,BF299,BF422,2SC1473A,2SC2551,2SC3248,2SC3415,2SC3467,2SC3468,3DA87E,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
200
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.75

技术参数

VCEO (V)：
180
hFE min.：
135
hFE max.：
600
Pc (W)：
0.75
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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