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2SC3446	文件：92.01 Kbytes Page：3 Pages	For Switching Regulators FOR SWITCHING REGULATORS Features • High breakdown voltage and high reliability • Fast switching speed (tf: 0.1 μs typ.) • Wide ASO • Adoption of MBIT process 文件：92.01 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3446	文件：259.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 500V(Min) ·High Switching Speed ·Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS ·Designed for switching regulator and general purpose applications. 文件：259.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3446	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
2SC3446	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 500V/3A Switching Regulator Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SC3446
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT11(A),BUV46(A),2SC3047,2SC3087,2SC3148,2SC3178,2SD2831,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
B-89
vtest：
800
htest：
999900
atest：
3
wtest：
50

技术参数

Maximum Transition Frequency：
18(Typ)MHz
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Collector Emitter Voltage：
500V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.3A@1.5AV
Maximum Collector Base Voltage：
800V
Material：
Si
Configuration：
Single
Category：
Bipolar Power

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