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2SC3068	文件：77.68 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications???? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features · High DC current gain (hFE=800 to 3200). · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=0.5V max). · High VEBO (VEBO≥15V). Applications · Low-frequency, general-purp 文件：77.68 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3068	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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晶体管资料

型号：
2SC3068
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_UEB_HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC1317,2SC3576,2SC3615,2SC3836,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>800
图片代号：
A-20
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC3068
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications

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