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2SC3149	文件：98.08 Kbytes Page：3 Pages	For Switching Regulator 800V/1.5A Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage (VCBO≥900V). • Fast switching speed. • Wide ASO. 文件：98.08 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3149	文件：130.009 Kbytes Page：2 Pages	NPN TEANSISTOR ■ DESCRIPTION The UTC 2SC3149 are series of NPN silicon planar transistor, and its suited to be used in power amplifier applications. ■ FEATURES * Suit for power amplifier applications 文件：130.009 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3149	文件：209.42 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High breakdown voltage: VCBO=900V(Min) • Fast switching speed. • Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS • 800V/1.5A switching regulator applications 文件：209.42 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3149	文件：342.8 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High breakdown voltage: VCBO=900V(Min) • Fast switching speed. • Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS • 800V/1.5A switching regulator applications 文件：342.8 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC3149	文件：162.06 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High breakdown voltage: VCBO=900V(Min) • Fast switching speed. • Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS • 800V/1.5A switching regulator applications 文件：162.06 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3149	文件：163.74 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：163.74 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC3149	文件：138.06 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：138.06 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC3149	文件：1.16736 Mbytes Page：3 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.16736 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SC3149	文件：143.63 Kbytes Page：2 Pages	NPN TRANSISTOR 文件：143.63 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC3149	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极型晶体管	LGE 鲁光电子	LGE

技术参数

BVCEO(V)：
800
BVCBO(V)：
1200
IC(A)：
0.5
HFE_MIN.：
10
HFE_MAX.：
40
HFEtest_IC(mA)：
100
HFEtest_VCE(V)：
5
VCE(Sat)(V)MAX.：
0.8
VCE(Sat)test_IC(mA)：
200
VCE(Sat)test_Ib(mA)：
40
Package：
TO-126

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