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2SC3076	文件：181.44 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCING APPLICATIONS) Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1241 文件：181.44 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：169.26 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications Power Switching Applications Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) • Excellent switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Complementary to 2SA1241 文件：169.26 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：C3076；Package：SC-70；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：298.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：298.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3076	文件：279.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3076	文件：44.03 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Epitaxial Features ● Low Collectror Saturation Voltage:VCE(sat)=0.5V(Max.)(IC=1A) ● Excellent Switching Time :tstg=1.0μs(Typ.) 文件：44.03 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SC3076	文件：176.83 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications Power Switching Applications 文件：176.83 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC3076	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Power amplifier\nPolarity：NPN\nComplementary Product：2SA1241\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 2 A \nCollector power dissipation PC 10 W \nCollector power dissipation PC 1 W \nCollector-emitter voltage VCEO 50 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC3076-251	文件：298.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：298.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC3076-252	文件：279.69 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 50V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 70(Min)@ IC= 0.5A ·Fast switching speed ·Large current capacity APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Driver stage amplifier applications 文件：279.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
50
IC(Max)(A)：
2
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
240
VCE(sat)(Max)(V)：
0.5
fT(Typ.)(MHz)：
80
ComplementaryProduct：
2SA1241
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
New PW-Mold
Width×Length×Height(mm)：
6.5 x 9.5 x 2.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SC3076	TOSHIBA	24+	SOT252	30000		询价
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更多2SC3076供应商更新时间2025-11-20 16:30:00

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