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2SC3069	文件：79.34 Kbytes Page：3 Pages	High-hFE, Low-Frequency General-Purpose Amp Applications???? High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features • High DC current gain (hFE=800 to 3200). • Low collector-to-emitter saturation voltage (VCE(sat)=0.5V max). • High VEBO (VEBO≥15V). Applications • Low-frequency, general-purpose amplifier., various drivers, muting circu 文件：79.34 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC3069	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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2SC3324-GR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	TOSHIBA 东芝上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SC3069
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_UEB_HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC1685,2SC2925,2SC3071,2SC3615,2SC3836,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>800
图片代号：
A-20
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.2
wtest：
0

详细参数

型号：
2SC3069
制造商：
Distributed By MCM
功能描述：
SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-92 60V .2A .6W ECB

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